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Data Sheet
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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB521ZS8A30
lApplications
lDimensions (Unit : mm)
Rectifying small power
lFeatures
1) Ultra small mold type (HMD8)
2) Halogen Free
lStructure
lConstruction
Silicon epitaxial planer
lAbsolute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Symbol
Unit
VR
V
Io
mA
ＩFSM
mA
Tj
?C
Tstg
?C
Pd
mW/Total
lElectrical characteristics
(Ta=25
?C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VF
-
-
0.37
V
IF=10mA
IR
-
-
7
μA
VR=10V
lLand size figure (Unit : mm)
lTaping dimensions (Unit : mm)
Parameter
Limits
Reverse voltage (DC)
30
Average rectified forward current (*1)
100
Forward current surge peak (60Hz?1cyc.) (*2)
500
Junction temperature
150
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Storage temperature
-55 to +150
Power dissipation
400
(*1)(*2)Rating of per diode
JEDEC : JEITA : --
ROHM : HMD8
dot
(year week factory)
A H
0.25
0.3
0.4
HMD8
1/4
2011.11 - Rev.A
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